2026世界杯赛事竞猜中国官网 晶书册成取得晶圆键合赔偿关系专利, 运用历史数据赔偿, 提高晶圆键合瞄准精度

发布日期：2026-06-19 01:30    点击次数：50

6月17日音问，国度学问产权局信息显现，合肥晶书册成电路股份有限公司请求一项名为“晶圆键合瞄准赔偿要领、电子设备和可读存储介质”的专利，授权公告号CN121793825B，授权公告日为2026年6月16日。请求公布号为CN121793825A，请求号为CN202610275407.8，请求公布日历为2026年6月16日，请求日历为2026年3月9日，发明东谈主伍德超、陈建松，专利代理机构上海想微学问产权代理事务所（平凡结伙），专利代理师宋艳，分类号H10W80/00。

专利纲领显现，本发明提供了一种晶圆键合瞄准赔偿要领、电子设备和可读存储介质，米兰体彩app2026世界杯中国官方下载该要领包括：获稳妥前键合晶圆对所对应的均在平日键合精度范围内的N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据；针对每一组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据，把柄该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据所对应的键合温度、键合压力、键合时辰以及量测时辰，信服该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据的赔偿权重；把柄N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据各自所对应的赔偿权重，对面前键合晶圆对进行瞄准偏差赔偿。本发明不错有用保证晶圆键合瞄准赔偿的准确性，有用提高晶圆键合瞄准精度，普及居品举座一致性和分娩良率。

晶书册成斥地于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券往复所上市，2026实时最新比赛数据与热门对阵分析注册地址与办公地址均波及安徽省合肥市。该公司是国内跨越的12英寸晶圆代工企业，具备较强技巧实力与范畴上风，投资价值突显。

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晶书册成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工就业。所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，波及MCU观念、MR头显、芯片观念等板块。

2025年，晶书册成交易收入为108.85亿元，在行业7家公司中排行第4，行业第别称中芯国外为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主交易务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排行一样为第4，行业第别称中芯国外72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶书册成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称呼专利类型法律景色请求号请求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1斗殴孔颓势检测要领、安设、设备、介质和步地居品发明专利公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕2一种半导体设备的参数化单位的选项的自动生成要领发明专利公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩3一种半导体器件过火制备要领发明专利公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平4检索模子的熟谙要领、检索要领和电子设备发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬5LDMOS器件的阈值电压的APC要领、系统、介质及居品发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧6一种反馈腔室的漏率监测要领、安设及半导体工艺设备发明专利公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳7一种半导体器件过火制作要领发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏8半导体领土结构及双栅氧化层制备要领发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强9一种半导体器件过火制作要领发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏10芯片布局模子的熟谙要领、芯片布局要领及关系安设发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、皆天翔、萧礼明、蒋治纬11半导体结构及制备要领发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春12一种半导体器件的测试要领及测试安设发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲13光阻层的酿成要领及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明14半导体结构、栅极结构的制备要领及镌汰颓势的要领发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚15半导体结构及制备要领发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露16用于工艺监测的重要尺寸条形结构及重要尺寸监测要领发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟17OPC模子的改良要领、系统及计较机可读存储介质发明专利本体审查的收效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙18一种光刻套刻相当的赔偿要领、系统和设备发明专利本体审查的收效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜19高超孔制备要领及背照式图像传感器的制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉20一种掩膜领土优化要领、设备、存储介质及步地居品发明专利本体审查的收效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾21镌汰F离子注入在CIS居品上产生白像素的要领及系统发明专利本体审查的收效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽22半导体结构过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛23半导体器件过火制造要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤24静态存储器的最小职责电压的瞻望要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁25一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞26一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞27一种半导体结构的制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷28一种斗殴孔过火酿成要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳29半导体结构的制作要领及半导体结构发明专利本体审查的收效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞30半导体结构过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕31半导体器件过火制作要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕32一种半导体结构过火制造要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊33半导体结构过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕34光学周边效应修正模子的改良要领及数据集合要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙35电性测试结构过火测试要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼36伽马电阻的阻值波动的监控要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春37一种半导体芯片的领土蓄意要领及领土蓄意系统发明专利本体审查的收效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃38黄光制程曝光能量信服要领、电子设备和存储介质发明专利本体审查的收效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明39一种半导体结构的制备要领和半导体结构发明专利本体审查的收效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩40一种化学气相千里积设备过火温度截至要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春41晶体管结构过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃42铝衬垫制备要领及半导体发明专利本体审查的收效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕43一种去除自瞄准硅化物中未反馈镍铂合金的要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛44半导体器件的颓势测试要领和半导体器件发明专利本体审查的收效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀45半导体结构、制备要领、键合要领及半导体器件发明专利本体审查的收效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健46套刻象征结构过火制造要领、套刻象征尺寸遴荐要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平47半浮栅晶体管过火制备要领、包含其的存储器件发明专利本体审查的收效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛48LDMOS器件过火制备要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪49半导体结构制备要领及半导体结构发明专利本体审查的收效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智50电容结构过火制造要领发明专利本体审查的收效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘晨曦、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪2026世界杯赛事竞猜中国官网

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